随着三星宣布7nmEUV工艺的量产,年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战,目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达到理想状态,EUV工艺还有很长的路要走。
在现有的EUV之外,ASML与IMEC比利时微电子中心还达成了新的合作协议,双方将共同研发新一代EUV光刻机,NA数值孔径从现有的0.33提高到0.5,可以进一步提升光刻工艺的微缩水平,制造出更小的晶体管。
NA数值孔径对光刻机有什么意义?这个问题我们在之前的超能课堂:单价.2亿美元的光刻机,全球只有一家公司生产一文中做过简单解释,决定光刻机分辨率的公式如下:
光刻机分辨率=k*λ/NA
k是常数,不同的光刻机k不同,λ指的是光源波长,NA是物镜的数值孔径,所以光刻机的分辨率就取决于光源波长及物镜的数值孔径,波长越短越好,NA越大越好,这样光刻机分辨率就越高,制程工艺越先进。
现在的EUV光刻机使用的是波长3.5nm的极紫外光,而普通的DUV光刻机使用的是93nm的深紫外光,所以升级到EUV光刻机可以大幅提升半导体工艺水平,实现7nm及以下工艺。
但是改变波长之后再进一步提升EUV光刻机的分辨率就要从NA指标上下手了,目前的光刻机使用的还是NA=0.33的物镜系统,下一代的目标就是NA=0.5及以上的光学系统了。
如今ASML与IMEC合作的就是高NA的EUV工艺了,双方将成立一个联合实验室,在EXE:型光刻机上使用NA=0.55的光学系统,更高的NA有助于将EVU光源投射到更广阔的晶圆上从而提高半导体工艺分辨率,减少晶体管尺寸。
如今这项研究才刚刚开始,所以新一代EUV光刻工艺问世时间还早,此前ASML投资20亿美元入股蔡司公司,目标就是合作研发NA=0.5的物镜系统,之前公布的量产时间是年,这个时间点上半导体公司的制程工艺应该可以到3nm节点了。
滥用出口管制条例,美商务部禁售晋华伤了谁?集微网消息,当地时间周一下午,美国商务部突然发难,以威胁国家安全为由,将中国存储芯片制造商福建晋华集成电路实施紧急禁售令,禁止美国企业向后者出售零部件、软件和技术产品。美国商务部称,福建晋华涉及违反美国国家安全利益的行为,给美国带来了严重风险(Significantrisk),并表示晋华即将完成大幅增产计划,其动态随机存取存储芯片(DRAM)产量显著上升,此举长远威胁到美国DRAM芯片对军方的供应稳定性。这是今年继中兴以来,美国政府对中国半导体企业实施的第二例禁售,相比中兴,对晋华的指控和制裁显得尤为无理。
据招商电子分析师对产业链的调研,由于本次禁令,相关美国半导体设备供应商如泛林半导体,应用材料等已停止技术支持,并切断了全部的电话、邮件交流。除设备之外,晋华的软件系统也采用了较多美国供应商,如MES采购了美国IBM的产品,目前IBM也切断了和晋华的一切联系。
实体名单被“滥用”?
“当外国公司从事违反我们国家安全利益的活动时,我们将采取强有力的行动来保护我们的国家安全,”美国商务部长WilburRoss曾在一份声明中说,“将晋华列入实体名单将限制其威胁美国军事系统中必要部件供应链的能力。”
因此,美国商务部指出,根据“出口管制条例”,所有出口、再出口和商品、软件和技术转让都需要许可证,关于晋华的此类许可申请将在拒绝推定的情况下进行审核。
美国贸易专家表示,特朗普政府的举动可能是前所未有的、不遗余力地使用某种法律工具来惩罚外国公司以保护美国公司利益。美国商务部发言人称此举是“基于监管标准”,但显然已升级到目前为止中美两国贸易冲突之际的商业纠纷,或将引发两国更为紧张的局势。他还表示,将审查晋华的任何上诉。
华盛顿贸易律师DouglasJacobson说,使用禁售“实体清单”-管理美国公司可以与之做生意的公司-来保护美国工业的经济可行性似乎闻所未闻。“这似乎是实体名单用于经济目的的显著扩展,”他解释说,实体名单传统上被用来预防违反美国出口管制法。
市场分析机构Linley集团的芯片专家兼总裁LinleyGwennap表示,福建晋华是一家相对较新的DRAM公司,是中国实现存储芯片自给自足的更大计划的一部分,而应用材料、泛林半导体、KLA-Tencor等预计都是福建晋华的半导体设备供应商。“如果不从这些美国公司购买设备,建立一个领先的晶圆厂几乎是不可能的。”Gwennap说。
在周一的财报电话会议上,KLA-Tencor首席执行官RickWallace表示,公司预计此举不会对年或年财务产生影响。其他公司则未回复置评请求。
美光-联电-晋华专利纠纷案的升级?
目前在DRAM存储芯片领域,三星、海力士和美光三大巨头占据了超过90%的市场份额,美光份额为23%。中国是全球最大的DRAM芯片进口国,DRAM芯片价格在年上涨了40%。今年6月,中国反垄断机构启动了对三大巨头的反垄断调查,认为三大巨头涉嫌进行价格垄断。而福建晋华正是在DRAM芯片领域实现国产芯片的突围期望之一。
年5月,联电公布与福建晋华的合作协议,受其委托开发DRAM技术,由晋华支付技术报酬金,开发出的DRAM技术成果,将由双方共同拥有,而晋华则将在晋江2英寸晶圆厂生产DRAM产品。年9月,台中地检署起诉美光科技公司离职员工、联电公司依违反营业秘密法等罪。年2月,美光在加州提起民事诉讼,状告台湾联电及福建晋华盗窃其商业机密等不当行为。作为反击,晋华于年月就相关侵权产品对美光提起诉讼。美光-联电-晋华三者之间的专利纠纷就此爆发。
招商电子分析师鄢凡/方竞团队的最新报告中分析指出,本次美国商务部声明中称,“福建晋华将威胁到为军方提供此类芯片的美国供应商的生存能力,同时认为这家中国制造商生产能力的扩大很可能得益于‘源自美国的科技’”,因此可以将本次禁令视为此前专利纠纷的延续与深化。
后续如何收场?
参考中兴禁运事件,年首次禁运时,在双方政府协调下,美国商务部给中兴颁布了临时许可证,从而保证中兴通讯可以正常采购美国元器件和软件。而今年4月6日,美国再度开启禁运后,中兴通讯更换了董事会及高管成员,同时缴交4亿美元罚款及保证金。从而和美国商务部二度和解,并于7月3日正式解除对中兴的出口禁令,中兴通信得以恢复正常生产。
因此,此次晋华禁运,预计也将需要中国政府予以支持。
禁售或将拖累晋华DRAM量产时程
瑞银分析师认为,福建晋华遭到美国政府绝罚还有一个直接原因:涉嫌窃取美国企业知识产权。这与去年晋华、联电与美光之间的专利纠纷有关。
分析师指出,晋华已经完成在晋江的一期DRAM产线,该工厂最初将通过联电的专利授权使用较为落后的3xnm技术,随后向先进工艺演进。晋华一期生产线的建设早于原计划完成,诸如KLA等关键供应商的制造设备已于7月底安装完毕,并计划在三季度投产,年年底投产后,将形成月处理6万片2英寸晶圆的产能,这将填补中国在内存芯片领域的空白,预计年可达到2万片产能。如今二期产线也在紧张建设中。
瑞银最新的报告数据显示,今年中国大陆半导体晶圆厂半导体设备总投资额预计达到47亿美元(全球为亿美元),年更将达到70亿美元。其中,年中国三大存储芯片制造商(长江存储、福建晋华和合肥长鑫)的总投资额达到4亿美元,年上升至25亿美元。
瑞银认为,鉴于福建晋华陷入专利纠纷中且具有滞后性,如今再加上美国政府禁售令,未来增长前景不太乐观。更甚至,美国政府昨日的举措,是否是美国更广泛地限制把半导体制造设备出口到中国的先兆?瑞银认为这个概率极低,更像是一种应对中国政府对美光临时禁令和双方知识产权纠纷的应对之举,而不是中美贸易摩擦升级的新信号。
在某种程度上可能对美国半导体设备公司产生轻微的负面影响,同时对美光利好。因为对晋华的禁令可能对美光产生最好的结果是拖延甚至阻碍晋华在DRAM量产方面的进程。分析师表示,中国在NAND领域取得成功的可能性看起来要比DRAM领域要高,因此,未来中国在存储市场可能对于西部数据的影响要大过对美光的影响。
为此,瑞银将KLA-Tencor评级为买入,美光和西部数据评级为中性。
韩国分析师表示,美国此举将使韩国的两家芯片制造商三星电子和SK海力士受益。三星电子的股票价格在0月30日上涨2.29%,收于42,韩元;SK海力士上涨2.0%,收于68,韩元。
对晋华国内供应商的影响
据招商电子分析师对产业链的调研,目前晋华正处于装机验机的关键阶段,有部分机台已经进入工艺验证环节(即Tier2环节)。
具体到国内供应商方面,目前已有6家中国设备供应商中标,其中中微半导体处已采购了七台刻蚀机;而北方华创处采购了两台石英清洗机(单机价值量-万)。其他公司,如盛美半导体,H3C,协昆等厂商也分别中标了一些设备。
招商电子分析师表示,由于福建晋华仍处于装机验机阶段,同时公司还于今年7月获得首笔30亿元国家专项建设基金支持。所以如无此次禁运影响,后续将持续采购设备建设产线。以总投资额56.5亿美元测算,由于设备投资在晶圆制造的资本支出中占比达80%,则晋华在设备方面的总投资为45.2亿美元。具体到每个环节的投资额如下,如国产设备能在其中占据一定比例,则相关公司业绩有望得到明显的增益。但受禁运影响,相关订单将延迟至和解之后才会陆续落地。(校对/叨叨)
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